Производитель Номер продукта:
SQS411ENW-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQS411ENW-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Подробное описание:
P-Channel 40 V 16A (Tc) 39.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Инвентаризация:
5355 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13007568
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQS411ENW-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
27.3mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3191 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
39.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8W
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8W
Базовый номер продукта
SQS411
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR184DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
SIB408DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6
SQM70060EL_GE3
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
