Производитель Номер продукта:
SUM110P08-11L-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUM110P08-11L-E3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Подробное описание:
P-Channel 80 V 110A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
44245 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13006245
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUM110P08-11L-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10850 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
13.6W (Ta), 375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SUM110
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR186DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SUM90P10-19L-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
SIHF35N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
