Производитель Номер продукта:
IPD50R650CEATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD50R650CEATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 500 V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
12801850
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD50R650CEATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
13V
Rds On (макс.) @ id, vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
342 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD50R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD50R650CEATMA1DKR
IPD50R650CEATMA1CT
IPD50R650CEATMA1-DG
SP001117708
IPD50R650CEATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD50R650CEAUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1584
Номер части
IPD50R650CEAUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AUIRF1405ZS
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
BSC13DN30NSFDATMA1
MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
AUIRF7799L2TR
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
