Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPP80N06S2L06AKSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP80N06S2L06AKSA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12804683
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP80N06S2L06AKSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 180µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP80N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPP80N06S2L06AKSA2
HTML Спецификация
IPP80N06S2L06AKSA2-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
2156-IPP80N06S2L06AKSA2-IT
SP001067882
INFINFIPP80N06S2L06AKSA2
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SUP90N06-6M0P-E3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
581
Номер части
SUP90N06-6M0P-E3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.30
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP80NF55-06
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
999
Номер части
STP80NF55-06-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.54
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR120ZTRL
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
IPD60R380P6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IPP60R600CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
IRF7759L2TR1PBF
MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET