Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IRF6609TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6609TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 20 V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12804682
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6609TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31A (Ta), 150A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.45V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
69 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6290 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MT
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MT
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IRF6609TRPBF
HTML Спецификация
IRF6609TRPBF-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,800
Другие названия
SP001527932
IRF6609TRPBFTR
IRF6609TRPBFDKR
IRF6609TRPBFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF6726MTRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
International Rectifier
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3965
Номер части
IRF6726MTRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.37
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP80N06S2L06AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRFR120ZTRL
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
IPD60R380P6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IPP60R600CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3