IRF7450TR
Производитель Номер продукта:

IRF7450TR

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRF7450TR-DG

Описание:

MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 200 V 2.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Инвентаризация:

12803243
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF7450TR Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
170mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
940 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
4,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPB35N10S3L26ATMA1

MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

infineon-technologies

IPI084N06L3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3

infineon-technologies

IPC302N08N3X1SA1

MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL

infineon-technologies

IRFR4105ZTRL

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK