Производитель Номер продукта:
IRFP250MPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFP250MPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
8703 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12815397
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFP250MPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
75mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2159 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
214W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IRFP250
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
INFINFIRFP250MPBF
2156-IRFP250MPBF
SP001566168
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
EPC8004
GANFET N-CH 40V 4A DIE
DN2540N3-G
MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
IRFSL59N10D
MOSFET N-CH 100V 59A TO262
