Производитель Номер продукта:
IRF1407PBF
Product Overview
Производитель:
International Rectifier
Номер детали:
IRF1407PBF-DG
Описание:
IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Подробное описание:
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
1150 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946794
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF1407PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
330W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
236
Другие названия
INFIRFIRF1407PBF
2156-IRF1407PBF
Классификация окружающей среды и экспорта
ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDFMA2P853
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
FCPF380N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP3N80C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
