Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PMZB550UNEYL
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PMZB550UNEYL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 590mA (Ta) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Инвентаризация:
10529 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918508
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMZB550UNEYL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
590mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
670mOhm @ 590mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
30.3 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN1006B-3
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
PMZB550
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PMZB550UNEYL
HTML Спецификация
PMZB550UNEYL-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
2156-PMZB550UNEYL-1727
934069331315
1727-2331-6
1727-2331-1
5202-PMZB550UNEYLTR
568-12617-6
1727-2331-2
568-12617-1-DG
568-12617-2
568-12617-6-DG
568-12617-1
568-12617-2-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4431CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
SI4406DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
SI3879DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
SIHD1K4N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA