Производитель Номер продукта:
XPH6R30ANB,L1XHQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
XPH6R30ANB,L1XHQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Подробное описание:
N-Channel 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Инвентаризация:
9174 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12943584
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
XPH6R30ANB,L1XHQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3240 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
XPH6R30
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
264-XPH6R30ANBL1XHQDKR
264-XPH6R30ANBL1XHQCT
264-XPH6R30ANBL1XHQTR
XPH6R30ANB,L1XHQ(O
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK11S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
TK33S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
TK160F10N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
