Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
XPW6R30ANB,L1XHQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
XPW6R30ANB,L1XHQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Подробное описание:
N-Channel 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Инвентаризация:
762 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939599
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
XPW6R30ANB,L1XHQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3240 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DSOP Advance
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
XPW6R30
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
XPW6R30ANB,L1XHQ
HTML Спецификация
XPW6R30ANB,L1XHQ-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
XPW6R30ANB,L1XHQ(O
264-XPW6R30ANBL1XHQCT
264-XPW6R30ANBL1XHQTR
264-XPW6R30ANBL1XHQDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
XPH6R30ANB,L1XHQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
9174
Номер части
XPH6R30ANB,L1XHQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.70
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK200F04N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
XPH4R714MC,L1XHQ
MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
TJ50S06M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
TK90S06N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK