Производитель Номер продукта:
SI1405BDH-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1405BDH-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Подробное описание:
P-Channel 8 V 1.6A (Tc) 1.47W (Ta), 2.27W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Инвентаризация:
12964729
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1405BDH-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
305 pF @ 4 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.47W (Ta), 2.27W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
SI1405
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1405BDH-T1-GE3DKR
SI1405BDHT1GE3
SI1405BDH-T1-GE3CT
SI1405BDH-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI1467DH-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SI1467DH-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.20
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIJH800E-T1-GE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
PJC7438_R1_00001
SOT-323, MOSFET
SQJ180EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
