Производитель Номер продукта:
SIHFBC40AS-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHFBC40AS-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V
Подробное описание:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
1993 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000363
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHFBC40AS-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1036 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
742-SIHFBC40AS-GE3CT
742-SIHFBC40AS-GE3TR
742-SIHFBC40AS-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G18P03D3
P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
IRFB5615PBFXKMA1
MOSFET N-CH
DMN2991UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
