SIHG22N60AE-GE3
Производитель Номер продукта:

SIHG22N60AE-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIHG22N60AE-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC

Инвентаризация:

12786433
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIHG22N60AE-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1451 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
179W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG22

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
500

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IPW60R180C7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
218
Номер части
IPW60R180C7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.58
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPW60R180P7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
237
Номер части
IPW60R180P7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.54
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STW31N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6
Номер части
STW31N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.20
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SISA88DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK

vishay-siliconix

SQSA80ENW-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIS439DNT-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S

vishay-siliconix

SIR165DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8