Производитель Номер продукта:
SIHP24N80AEF-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHP24N80AEF-GE3-DG
Описание:
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Подробное описание:
N-Channel 800 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12975427
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHP24N80AEF-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
EF
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
195mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1889 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
742-SIHP24N80AEF-GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIHG24N80AEF-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
396
Номер части
SIHG24N80AEF-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.14
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PH3830DLX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
SISA14BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
RJ1L12BGNTLL
NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L
