SIR840DP-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIR840DP-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIR840DP-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

12916797
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIR840DP-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR840

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR840DPT1GE3
SIR840DP-T1-GE3TR
SIR840DP-T1-GE3CT
SIR840DP-T1-GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI2303CDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

vishay-siliconix

SQ1470AEH-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70

vishay-siliconix

SIHG039N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC

vishay-siliconix

SIR698DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8