SISA01DN-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SISA01DN-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SISA01DN-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Подробное описание:
P-Channel 30 V 22.4A (Ta), 60A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Инвентаризация:

2281 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920947
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SISA01DN-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22.4A (Ta), 60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+16V, -20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3490 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SISA01

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SISA01DN-T1-GE3DKR
SISA01DN-T1-GE3CT
SISA01DN-T1-GE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
RQ1E050RPTR
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1674
Номер части
RQ1E050RPTR-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.28
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RQ3E110AJTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
13988
Номер части
RQ3E110AJTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.22
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RQ3E080GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2993
Номер части
RQ3E080GNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.10
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RQ3E070BNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6697
Номер части
RQ3E070BNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.09
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RQ7E055ATTCR
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
326
Номер части
RQ7E055ATTCR-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.36
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIR668DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN7R006PL,L1Q

MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN2R903PL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN7R504PL,LQ

MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON